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集成天津变压器电路工艺简介之一

文章出处:http://tianjin.3dcoo.com   责任编辑:天津变压器厂   发布时间:2018-11-08    点击数:134   【
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制造半导体集成天津变压器电路的硅平面工艺通常包括外延技术、氧化技术、光刻技术、扩散技术、真空镀膜技术和隔离、隐埋技术。了解一点集成电路的制造工艺,对于理解集成元件的特性不无裨益。下面即对上述七大工艺技术给以简单介绍。一、外延技术外延技术是在半导体基片上,在高温下采用气相淀积的方法再向外延生长一层硅原子层,常称为外延层。外延层晶格的排列方向与基片一衬底的晶格排列方向是一致的。故有生长之称。

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